精密微細加工工藝
光刻技術是一種在集成電路製造中使用的精密微細加工工藝，它利用光學和化學反應原理，通過光致抗蝕劑（光刻膠）將掩膜版上的圖形轉移到基片上。具體過程包括：
紫外光通過掩膜版照射到塗有光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區域的光刻膠發生化學反應。
通過顯影技術溶解去除曝光區域或未曝光區域的光刻膠，使掩膜版上的圖形被複制到光刻膠薄膜上。
利用刻蝕技術將圖形轉移到基片上，形成有效圖形窗口或功能圖形。
隨着半導體技術的發展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度已經從毫米級縮小到亞微米級，應用的技術也從常規光學技術發展到電子束、X射線、微離子束、激光等新技術。目前市場上主流的技術是193nm沉浸式光刻技術，而所謂的30nm工藝或22nm工藝指的是採用該技術獲得的電路尺寸。