壓阻效應(piezoresistive effect)是指當半導體材料受到應力作用時,由於應力引起能帶的變化、能谷的能量移動或者載流子遷移率的變化,導致其電阻率發生變化的現象。
壓阻效應最早由C.S.史密斯在1954年發現,他測試了硅和鍺的電阻率與應力變化特性。半導體壓阻傳感器已經廣泛地應用於航空、化工、航海、動力和醫療等領域。這種效應使得半導體材料在某一方向承受應力時,其電阻率或電阻會發生顯著變化。
壓阻效應(piezoresistive effect)是指當半導體材料受到應力作用時,由於應力引起能帶的變化、能谷的能量移動或者載流子遷移率的變化,導致其電阻率發生變化的現象。
壓阻效應最早由C.S.史密斯在1954年發現,他測試了硅和鍺的電阻率與應力變化特性。半導體壓阻傳感器已經廣泛地應用於航空、化工、航海、動力和醫療等領域。這種效應使得半導體材料在某一方向承受應力時,其電阻率或電阻會發生顯著變化。