記憶電阻器
憶阻器，全稱記憶電阻器(Memristor)，是一種特殊的電子元件，具有記憶和可變電阻的性質。
憶阻器在電路中起著至關重要的作用，它不僅可以在外加電壓或電流作用下改變其電阻值，而且即使在斷電後也能保持這個電阻值。憶阻器的名稱來源於「memory resistor」（記憶電阻器）的縮寫，它最早在1971年由華裔科學家蔡少棠（Leon Chua）教授提出，被視為第四類基本電路元件，與傳統的電阻器、電容器和電感器相互補充。
憶阻器的工作原理是基於其內部電荷和磁通量之間的關係，它的電阻值取決於之前所受到的電壓和電流信號的強度、頻率和持續時間。當電壓或電流停止時，憶阻器將永久固定電阻值直至再次受到新的電場激發。因此，憶阻器可以被看作是一種含有「記憶效應」的材料。
在實際套用中，憶阻器可以用於數字電路中的存儲器件和感測器中的輸入元素等。它的發現填補了基本電路元件理論模型的空白，並為新型存儲器和計算器件的發展提供了新的可能性。