擴散電容是一種由於半導體器件中摻雜區域與非摻雜區域的電荷集中分佈而產生的電容效應。
這種效應主要是由於不同類型材料的擴散過程所致,即摻雜區域內的少數載流子向非摻雜區域中擴散,形成空間電荷區,最終表現爲電容效應。擴散電容的大小取決於摻雜濃度和麪積等因素,可以通過控制外加電壓來調節電容值。在p-n結中,當施加正向偏壓時,擴散區的電荷向p-n結中間集聚,產生電容效應。
擴散電容是一種由於半導體器件中摻雜區域與非摻雜區域的電荷集中分佈而產生的電容效應。
這種效應主要是由於不同類型材料的擴散過程所致,即摻雜區域內的少數載流子向非摻雜區域中擴散,形成空間電荷區,最終表現爲電容效應。擴散電容的大小取決於摻雜濃度和麪積等因素,可以通過控制外加電壓來調節電容值。在p-n結中,當施加正向偏壓時,擴散區的電荷向p-n結中間集聚,產生電容效應。