石墨烯的製備方法主要包括以下幾種：
微機械剝離法。這種方法利用機械力從石墨晶體表面剝離出石墨烯片層。通常使用高度定向熱解石墨(HOPG)作為起始材料，並通過膠帶將石墨薄片貼上到目標基體（如矽片）上，最後用溶劑去除膠帶，從而在基體上得到單層和少層的石墨烯。
氧化還原法。首先將石墨氧化，得到氧化石墨烯，然後通過超聲或離心分散在溶液中，最後通過還原劑處理得到單層或多層的石墨烯。這種方法可以大規模生產石墨烯，但可能會引入缺陷，影響材料性能。
碳化矽外延生長法。在超高真空環境和高溫條件下，加熱SiC襯底，使矽原子升華，留下富碳原子表面，經過石墨化形成石墨烯層。
化學氣相沉積法(CVD)。使用含碳化合物（如甲烷）作為碳源，在金屬基體表面通過高溫分解生長石墨烯。CVD法適用於大規模生產，可以製備出厚度均勻、質量良好的石墨烯。
電解法。將石墨材料放置於電解池中，利用交替電場和剪下力切割石墨烯層，並將其轉移到目標基板上。
以上方法各有優劣，適用於不同的套用場景。例如，微機械剝離法和CVD法適用於實驗室研究，可以製備出高質量的石墨烯；而氧化還原法和電解法則更適合大規模工業生產。