碳化矽（SiC）是一種半導體材料，其導電性能主要由其半導體特性、晶體質量、雜質、晶粒尺寸和熱處理狀態等因素決定，碳化矽的電阻率通常在10^-2至10^12Ω·cm之間，其導電性隨溫度升高而增強，在高溫和極端環境下表現出優異的電導率。
碳化矽的導電機制包括n型碳化矽(n-SiC)的自由電子傳導和p型碳化矽(p-SiC)的空穴傳導。此外，碳化矽的導電性能可以通過引入不同種類的雜質（如鋁、氮、硼）來調節，其中鋁對碳化矽導電性的影響較為顯著。在某些條件下，碳化矽還可以通過添加導電添加劑（如金屬粉末、碳類材料）進行改性，從而具有一定的導電性能。
總的來說，雖然碳化矽在室溫下的導電性能相對較差，但在高溫和其他特定條件下，它表現出良好的導電性能，使其在高溫電器、感測器、電線材料、航空航天、半導體行業等多個領域有廣泛的套用。