Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料
磷化鎵(Gallium phosphide)，分子式為GaP，是一種由元素鎵(Ga)和磷(P)組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料。
磷化鎵是橙紅色的透明晶體，具有閃鋅礦型的晶體結構，晶格常數為5.447±0.06埃，其化學鍵以共價鍵為主，包含約20%的離子鍵成分，磷化鎵的能隙（300K時）為2.26eV，屬於間接躍遷型半導體，可以通過摻入雜質如鉻、鐵、氧等，使其成為半絕緣材料。磷化鎵在半導體工業中套用廣泛，常用於製造發光二極體和光電器件等。
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料
磷化鎵(Gallium phosphide)，分子式為GaP，是一種由元素鎵(Ga)和磷(P)組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料。
磷化鎵是橙紅色的透明晶體，具有閃鋅礦型的晶體結構，晶格常數為5.447±0.06埃，其化學鍵以共價鍵為主，包含約20%的離子鍵成分，磷化鎵的能隙（300K時）為2.26eV，屬於間接躍遷型半導體，可以通過摻入雜質如鉻、鐵、氧等，使其成為半絕緣材料。磷化鎵在半導體工業中套用廣泛，常用於製造發光二極體和光電器件等。