肖特基缺陷是一種化合物半導體中的點缺陷，是由於晶格熱振動，能量大的原子離開原格點遷移到晶體表面或晶界，而失去原子的晶格位置即出現空缺，空位以符號VM（或VX）表示。這種缺陷可以是中性，也可帶正電或負電，對化合物半導體的導電性能有較大的影響。而且，這種缺陷在晶體內也能運動，也存在著產生和複合的動態平衡。對於一定的晶體來說，在確定的溫度下，缺陷的濃度也是確定的，並且空位缺陷的存在可用場離子顯微鏡直接觀察到。
此外，肖特基缺陷和弗侖克爾缺陷之間的重要差別，在於前者的生成需要一個像晶界、位錯或表面之類的晶格混亂區域，使得內部的質點能夠逐步移到這些區域，並在原來的位置上留下空位，但弗氏缺陷的產生並無此限制。而且，肖特基缺陷只在晶體內形成空位而無間隙原子，弗蘭克爾缺陷是間隙原子和空位成對出現。