DIBL原理，即漏端引入的勢壘降低效應（Drain Induced Barrier Lowering），是指在小尺寸場效應電晶體（FET）中出現的一種不良現象。當溝道長度減小、漏源電壓（Vds）增大時，溝道中的電力線可以從漏區穿越到源區，導致源極端勢壘高度降低，從而源區注入到溝道的電子數量增加，導致漏極電流增加。這種現象通常被稱為漏致勢壘降低效應。溝道長度越短，DIBL效應就越嚴重。DIBL效應往往與溝道長度調製效應同時發生，都會導致小尺寸電晶體的電壓增益下降，限制著小尺寸MOSFET進一步縮小尺寸，實際上這往往也就是超大規模積體電路（ULSI）進一步提高集成度所受到的一種限制。