絕緣柵雙極型電晶體
IGBT管,全稱為絕緣柵雙極型電晶體,是由雙極型三極體(BJT)和絕緣柵型場效應管(MOSFET)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
IGBT 兼具MOSFET的高輸入阻抗和功率電晶體(GTR)的低導通壓降兩大優點,使其成為能源轉換與傳輸的核心器件,廣泛套用於軌道交通、智慧型電網、航空航天、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 因其高效率、高可靠性及節能特性,被認為是電力電子裝置的「CPU」。
絕緣柵雙極型電晶體
IGBT管,全稱為絕緣柵雙極型電晶體,是由雙極型三極體(BJT)和絕緣柵型場效應管(MOSFET)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
IGBT 兼具MOSFET的高輸入阻抗和功率電晶體(GTR)的低導通壓降兩大優點,使其成為能源轉換與傳輸的核心器件,廣泛套用於軌道交通、智慧型電網、航空航天、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 因其高效率、高可靠性及節能特性,被認為是電力電子裝置的「CPU」。