ITO成膜方法主要包括磁控濺射法、真空蒸發法、溶膠-凝膠法和化學氣相沉積法等。具體如下：
磁控濺射法。這是目前工業上套用較廣的鍍膜方法，分為直流磁控濺射沉積和射頻磁控濺射沉積，其中直流磁控濺射沉積是發展最成熟的技術，其工藝原理是在電場和磁場的作用下，高能粒子（如Ar+）轟擊ITO靶材表面，導致靶材表面的原子逸出並沉積到基體表面形成薄膜。
真空蒸發法。這種方法涉及在真空室中加熱蒸發待形成薄膜的原材料，使其原子或分子氣化並凝結在固體基片表面形成薄膜，真空蒸發法包括電阻蒸發、電子束蒸發等多種形式。
溶膠-凝膠法。這種方法以金屬醇鹽或無機鹽為前驅體，通過水解或醇解反應形成溶膠，然後塗布在基材上，經過凝膠化和乾燥處理，最後在高溫下燒結形成薄膜。
化學氣相沉積法。這種方法涉及一種或多種氣態反應物在襯底表面發生化學反應形成薄膜，如果使用銦錫有機金屬化合物作為原材料，則稱為MOCVD法。
真空熱壓法。這種方法利用熱能和機械能使陶瓷材料緻密化，可以生產高密度ITO陶瓷靶材，過程包括加熱模具、加入樣品、固定模型並控制熔化溫度和時間，然後熔化、硬化、冷卻後取出成品。