ITO(銦錫氧化物半導體)的電阻率通常在10^-3至10^-4 Ω·cm之間。ITO的方塊電阻(用R□表示)用來表徵其導電性能,這個值可以非常低,例如在高檔STN液晶顯示器中使用的ITO玻璃方塊電阻可以達到10Ω/□左右。
ITO的電阻率受其組成(In2O3與Sn2O3的比例)和膜層厚度影響。例如,當ITO層電阻率為5*104Ωcm,厚度為50nm時,方塊電阻為100Ω/□。在實際套用中,ITO的導電性能可以通過調整這些參數來最佳化。
ITO(銦錫氧化物半導體)的電阻率通常在10^-3至10^-4 Ω·cm之間。ITO的方塊電阻(用R□表示)用來表徵其導電性能,這個值可以非常低,例如在高檔STN液晶顯示器中使用的ITO玻璃方塊電阻可以達到10Ω/□左右。
ITO的電阻率受其組成(In2O3與Sn2O3的比例)和膜層厚度影響。例如,當ITO層電阻率為5*104Ωcm,厚度為50nm時,方塊電阻為100Ω/□。在實際套用中,ITO的導電性能可以通過調整這些參數來最佳化。