MOCVD法，全稱金屬有機化合物化學氣相沉積（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition），是一種用於生長薄膜材料的技術，尤其在半導體行業中套用廣泛。此技術主要涉及將含有薄膜材料組分的金屬有機化合物通過載氣輸送至反應室，在基板上進行熱分解和外延生長。
MOCVD系統由前驅體的選擇和輸入、氣體輸送和混合、沉積反應、以及排放副產物和未反應的前驅體等部分組成。常用的基板材料包括砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）、矽（Si）、碳化矽（SiC）及藍寶石（Al2O3）等。通過MOCVD法生長的薄膜材料主要包括三五族化合物半導體，如砷化鎵（GaAs）、砷化鎵鋁（AlGaAs）、磷化鋁銦鎵（AlGaInP）、氮化銦鎵（InGaN），以及二六族化合物半導體。這些半導體薄膜廣泛套用於光電元件（例如發光二極體LED、雷射二極體Laser Diode及太陽能電池）和微電子元件（例如異質接面雙載子電晶體HBT及假晶式高電子遷移率電晶體PHEMT）的製作。
此外，MOCVD技術還具有一些顯著的優缺點。其優點包括工藝可控、操作簡便、適合大規模生產等；而缺點在於反應氣體與反應副產物多為易燃劇毒物質，需謹慎處理。儘管如此，MOCVD技術仍在持續發展中，預計將在微電子技術和光電子技術領域帶來更廣闊的前景。