MOCVD（金屬有機化學氣相沉積）是一種用於製造半導體材料和超導材料的技術。以下是MOCVD製程的詳細介紹：
前驅體的選擇和輸入。首先選擇合適的金屬有機前驅體和反應氣體。前驅體是一種金屬有機化合物，而反應氣體通常是氫氣、氮氣或其他惰性氣體。這些氣體將前驅體輸送到反應室。
氣體輸送和混合。前驅體和反應氣體在反應室的入口處混合，通常是在控制好的流量和壓力下進行。
沉積反應。混合的氣體流到加熱的襯底上，在襯底表面，前驅體分解並發生化學反應，生成所需的固體材料並沉積在襯底上。這個過程通常在幾百到幾千攝氏度的溫度下進行，具體溫度取決於前驅體的種類和所需材料的性質。
排放副產物和未反應的前驅體。未反應的前驅體和生成的副產品被氣體流帶走，並在反應室外部被清除。