電壓控制
MOS管（金屬-氧化物-半導體場效應管）的工作原理主要基於電壓控制，具體來說：
建立導電溝道：
當柵源電壓（VGS）達到一定閾值（VT），在漏極和源極之間形成一個N型導電溝道。這個溝道是連線漏極和源極的關鍵部分，而VT是形成該溝道的必要條件。
電流控制：
漏極電流（Jd）主要受VGS和漏源電壓（VDS）的影響。VGS通過控制導電溝道的寬度來影響電流，而VDS則直接作為驅動來影響電流。
在多數情況下，MOS管的source和drain是可以互換的，形成對稱結構。這種對稱性意味著器件的性能不會因為兩端對調而改變。
特性分析：
輸入特性：MOS管的輸入電阻非常高，因為其金屬柵極與溝道之間有一層二氧化矽絕緣層。這使得MOS管具有低功耗的特性。
輸出特性：MOS管作為開關元件，工作在截止或導通兩種狀態。其工作狀態主要由柵源電壓（uGS）決定，實現電壓控制。
綜上所述，MOS管的工作原理涉及電壓控制、導電溝道的建立以及電流的控制，這些特性使得MOS管成為一種高效、低功耗的半導體器件，廣泛套用於各種電子設備中。