MOS管的跨導gm可以通過公式gm=∂ID∂VGS來定義，這表示當VGS（柵源電壓）發生變化時，ID（漏極電流）的變化量。跨導的大小反映了MOS管將電壓信號轉換為電流信號的能力。在飽和區域內，MOS管的跨導可以表示為gm=μnCoxWL(VGS−VTH)2，其中μn是電子遷移率，Cox是單位面積的柵氧化層電容，W和L分別是MOS管的寬度和長度，VGS是柵源電壓，VTH是閾值電壓。這個公式表明，在飽和區域內，MOS管的跨導與VGS和VTH的差值的平方成正比。
跨導也可以通過Gm=△Ig/△Ugs來表示，其中△Ig是電流的變化量，△Ugs是對應的電壓變化量。
在實際套用中，MOS管的跨導會受到多種因素的影響，包括速度飽和和遷移率衰減。在沒有達到飽和狀態時，跨導的大小與VGS無關；而在達到飽和狀態後，跨導的大小與VGS有關。這是因為當VGS達到一定值後，即使進一步增加VGS，ID的增加也會變得有限，這種現象稱為速度飽和。