MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應電晶體）是一種常用的半導體器件，具有多種特性，使其在電子系統中廣泛套用，其特性主要包括：
電壓控制型器件。MOSFET的輸入阻抗極高，輸入電流非常小，這意味著它通過控制輸入電壓來調節輸出電流和電阻，而不是電流或電阻控制電壓。
三個基本端子。包括柵極(G)、源極(S)和漏極(D)。柵極與源極和漏極之間用電容器隔離，實現電流的雙嚮導電性。
開關速度快，工作頻率高。MOSFET的開關速度非常快，通常在幾十納秒到幾百納秒之間，適合用於高頻套用。
驅動電路簡單，需要的驅動功率小。相比於其他電晶體，MOSFET的驅動電路更為簡單，需要的驅動功率也較小。
優良的熱穩定性。MOSFET在熱穩定性方面表現優異，適合於高溫環境下的套用。
存在寄生二極體。在MOSFET的漏極和源極之間存在一個寄生二極體，這影響了其正向和反向的導電性能。
適用於多種領域。由於其體積小、重量輕、易於集成等優點，MOSFET被廣泛套用於電力電子、汽車電子、通信等領域。
此外，MOSFET還具有低導通電阻、低開關損耗等優點。不同類型的MOSFET（如碳化矽MOSFET）還具有額外的特性，如更低的導通電壓和更快的開關速度。