NMOS（N型金屬-氧化物-半導體）的特性主要包括：
Vgs閾值電壓。NMOS在Vgs（柵極與源極之間的電壓）達到或超過一定的閾值電壓時會導通，這使得NMOS特別適合於源極接地的情況，即低端驅動。通常，柵極電壓達到4V或10V就可能導致NMOS完全導通。
導通電阻。與PMOS相比，NMOS的導通電阻通常較小，這在需要低電阻的套用中是一個優勢。
開關損耗。在導通和截止狀態切換時，NMOS會經歷一定的開關損耗。這種損耗是由於導通瞬間電壓和電流的乘積很大而產生的。
適用場景。由於其特性，NMOS在高端驅動套用中不如PMOS常見。然而，由於NMOS的導通電阻通常較小，它在需要低電阻的套用中仍然很有用。
以上是NMOS的一些主要特性。理解這些特性有助於更好地套用NMOS電晶體在不同的電子和電氣設計中。