rca清洗流程

RCA清洗流程是半導體行業矽片清洗的標準步驟，主要包括以下四個步驟：

先用含硫酸的酸性過氧化氫進行酸性氧化清洗。

再用含胺的弱鹼性過氧化氫進行鹼性氧化清洗。

接著用稀的氫氟酸溶液進行清洗，以去除矽表面的氧化層。

最後用含鹽酸的酸性過氧化氫進行酸性氧化清洗。

在每次清洗中間都要用超純水(DI水)進行漂洗，最後再用低沸點有機溶劑進行乾燥。