VDMOS（Vertical Double Diffused Metal Oxide Semiconductor）是一種垂直導電雙擴散金屬氧化物半導體場效應電晶體，其工作原理基於MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應電晶體）技術。VDMOS主要套用在大功率場景，具有高耐壓、高功率的特性，被廣泛用於放大器、開關電源和逆變器中。
以下是VDMOS的工作原理：
在未開啟狀態（截止狀態）。當柵源電壓(VGS)小於開啟電壓(VT)時，P型半導體區域表面不會形成反型層，因此沒有導電溝道。此時，漏源極之間無電流流過。
在開啟狀態（導電狀態）。當柵源電壓(VGS)大於開啟電壓(VT)時，在P型半導體區域表面形成強反型的電子積累層，即反型層。這個反型層連線了N+源區和漏極，形成導電溝道，允許電流在源極和漏極之間流動。電流的流向是從源極出發，經過外延層（N-漂移區）到達漏極。
VDMOS的特點是電流在溝道內沿表面流動，然後垂直地被漏極接收。其耐壓水平和電阻率及外延厚度有關。此外，VDMOS的開關時間短，因為其利用中等強度的柵電流為器件的柵電容放電，使得器件的開關時間很短。