亞閾值擺幅（Subthreshold Swing，SS）是衡量電晶體在亞閾值區域工作時，源漏電流（Id）變化一個數量級所需柵極電壓（Vgs）變化量的性能指標。
這個指標對於電晶體在低電壓下的性能有重要影響，特別是在數字積體電路設計中，亞閾值擺幅是一個關鍵參數，因為它決定了電晶體開啟和關斷狀態之間的轉換速率。亞閾值擺幅越小，意味著電晶體的開啟和關斷速率越快。
在實際套用中，例如在MOSFET（金屬氧化物半導體場效應電晶體）中，亞閾值擺幅受到器件結構、溫度和材料特性等因素的影響。例如，室溫下（T=300K），MOS型器件的理論最小亞閾值擺幅約為60mV/decade，但一些新型器件如隧穿電晶體可能實現低於此值的亞閾值擺幅。