外延層是積體電路製造工藝中的一個重要概念，它是指在矽或其他半導體材料的晶圓襯底上生長的一層新的單晶層。這種生長過程使得新的外延層複製了矽片的晶體結構，並且結構通常比原矽片更加規則。外延層的生長為器件設計者提供了很大的靈活性，例如可以控制外延層的摻雜厚度、濃度和輪廓，這些因素與矽片襯底無關。通過這種方式，外延層可以減少CMOS器件中的閂鎖效應，最佳化pn結的擊穿電壓，並降低集電極電阻，從而在適中的電流強度下提高器件速度。
外延層通常是沒有玷污的，並且厚度通常為幾微米。外延層可以與襯底為同一材料，也可以是不同的材料，這種情況稱為異質外延。在半導體工藝中，外延層生長是一個關鍵步驟，它為後續的工藝步驟如摻雜、刻蝕和金屬化等提供了基礎。
以上就是外延層的定義、作用以及生長過程的相關信息，希望對你有所幫助。