巨磁阻(GMR，Giant Magneto Resistance)是一種基於量子力學效應的材料特性，當材料置於外磁場中時，其電阻會顯著變化。
這種效應通常表現爲電阻降低，其變化幅度可以比通常磁性金屬與合金材料的磁電阻數值高出10餘倍。巨磁阻效應常見於層狀的磁性薄膜結構，這種結構由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。當這些層狀結構的磁矩方向相互平行時，載流子與自旋有關的散射最小，導致電阻最小；而當磁矩爲反平行時，與自旋有關的散射增強，電阻達到最大。
巨磁阻因其高靈敏度被廣泛應用於磁存儲器、磁傳感器等領域。