溝道效應，英文名稱為Channeling Effect，是指在晶體材料中，注入的離子沿著晶體原子排列較為稀疏的方向穿透得比預期更深的現象。
溝道效應是離子注入工序中非常重要的一種效應，對於雜質的分布影響很大。當離子注入的方向與靶晶體的某個晶向平行時，其運動軌跡將不再是無規則的，而是將沿溝道運動並且很少受到原子核的碰撞，因此來自靶原子的阻止作用要小得多。在這些溝道中，電子密度很低，受到的電子阻止也很小，這些離子的能量損失率就很低。在其他條件相同的情況下，注入離子的濃度分布較難控制，注入深度大於在無定形靶中的深度，並使注入離子的分布產生一個很長的拖尾，這種現象稱為溝道效應。