晶體生長方法
直拉法,也被稱為切克勞斯基法(Czochralski process)或柴可拉斯基法,是一種廣泛用於半導體、金屬、鹽和合成寶石等材料單晶生長的晶體生長方法。
直拉法的核心步驟包括將熔融的原料置於坩堝中,使用籽晶作為生長晶核,通過旋轉籽晶並緩慢提升,使熔體在籽晶周圍結晶,逐漸生長成棒狀單晶。這種方法適用於大尺寸、高質量的完美晶體的批量生產。直拉法在半導體行業中被廣泛套用,例如在製備單晶矽時,它是目前最常用的技術之一。
晶體生長方法
直拉法,也被稱為切克勞斯基法(Czochralski process)或柴可拉斯基法,是一種廣泛用於半導體、金屬、鹽和合成寶石等材料單晶生長的晶體生長方法。
直拉法的核心步驟包括將熔融的原料置於坩堝中,使用籽晶作為生長晶核,通過旋轉籽晶並緩慢提升,使熔體在籽晶周圍結晶,逐漸生長成棒狀單晶。這種方法適用於大尺寸、高質量的完美晶體的批量生產。直拉法在半導體行業中被廣泛套用,例如在製備單晶矽時,它是目前最常用的技術之一。