光刻法是半 導 體 製造中的 一個 關 鍵工 藝，其基本原理如下：
首先，光刻 過程使用一 種光致抗 蝕 劑（也 稱 為光刻 膠）， 這 種材料在光照作用下 會 發生化 學性 質的 變化。
接下 來，紫外光通 過掩膜版照射到 塗有光刻 膠的基片上，掩膜版上通常有 預先 設 計好的 電路 圖案。
當光照射到光刻 膠上 時，曝光 區域的光刻 膠 會 發生化 學反 應， 這 個反 應使得光刻 膠在 顯影 過程中可被溶解， 從而 將掩膜版上的 圖案 複製到光刻 膠薄膜上。
最 後，通 過刻 蝕技 術， 將 這 個 圖案精 確地 轉移到基片（如 矽片）上，形成 電路 圖或其他 電子元件的部分。
這 個 過程 類 似於照相 機拍照，其中光刻 膠薄片 類 似於底片，捕捉 並固定 電路 圖案。光刻技 術的精度和 解析度直接影 響到半 導 體器件的性能和 製程水平。