厄利效應，也稱為基區寬度調製效應，是指當雙極性電晶體（BJT）的集電極-發射極電壓VCE改變時，基極-集電極耗盡寬度WB-C（耗盡區大小）也會跟著改變。這一變化是由於集電極-基極反向偏置增大，導致基區相鄰的耗盡區變寬，中性基區變窄。在反向偏置電壓的作用下，集電區相鄰的耗盡區也會變寬，但因為集電區摻雜低，其寬度超過基區相鄰的耗盡區。中性區和耗盡區的寬度的和要保持不變，因為二者符合電中和原理。集電區變窄不會產生非常大的影響，因為其寬度遠大於基區。發射極-基極結不會發生變化，因為電壓不變。
基區變窄對於電流的影響有兩方面：
由於基區變得更窄，電子與空穴複合的可能性更小。
若穿過基區的電荷梯度增加，那麼注入基區的少子電流會增加。
要提高厄利電壓，減小基區寬變效應的影響，可以增大基區寬度，使基區寬變的相對影響變小。另外，如果提高基區摻雜濃度，對於一定的Vce，集電結耗盡層變化較小，也可以減小基區寬變效應的影響，提高厄利電壓。但是這兩條措施均與增大電流增益的要求衝突，應該綜合考慮。