器件物理是研究器件的物理特性和改造技巧的學科。器件通常指的是一些特殊的物理結構，如電阻、電容、二極體、MOS管等。這些器件是基於半導體物理原理，人為構造出來的，以達到特定的電學屬性。器件物理涉及對器件的詳細說明，包括它們的物理特性，以便準確描述和使用這些結構。半導體器件物理是半導體物理的一個套用領域，它通過分析半導體中載流子的運動規律和物理效應來研究半導體器件的工作原理和特性。例如，能帶分析用於解釋器件的工作機理，而載流子在器件中的行為則用於推導出器件的特性指標，如電壓電流、跨導、噪聲等。此外，器件物理還包括利用歐姆接觸和肖特基接觸製作電極，以及根據結構和材料的不同設計出不同類型的器件，如PN結、PIN結、肖特基二極體（SBD）、金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOS）、雙極型電晶體（BJT）、高電子遷移率電晶體（HEMT）、異質結雙極型電晶體（HBT）等。利用半導體器件物理知識，可以改進器件與材料結構，最佳化器件性能，甚至設計出新的材料和器件。