巨磁阻（Giant Magneto Resistance，簡稱GMR）是一種量子力學效應，主要表現在磁性材料和非磁性材料相間的薄膜層結構中。當鐵磁層的磁矩相互平行時，載流子與自旋有關的散射最小，材料有最小的電阻。當鐵磁層的磁矩為反平行時，與自旋有關的散射最強，材料的電阻最大。這種效應可以在層狀的磁性薄膜結構中觀察到，這種結構是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。
巨磁阻效應在1988年被法國科學家阿爾貝·費爾和德國科學家彼得·格林貝格爾獨立發現，他們在Fe/Cr多層膜中首次觀察到這一現象。這一發現引起了廣泛的關注，並迅速套用於實際技術中，特別是在高密度磁存儲和讀取技術方面。
巨磁阻效應的套用之一是GMR磁頭，這種磁頭比傳統的MR磁頭更為敏感，能夠檢測更小的磁場變化，從而提高了硬碟的存儲密度。GMR磁頭能夠達到的碟片密度遠高於MR磁頭，這在計算機硬碟驅動器的發展中起到了關鍵作用。
除了硬碟驅動技術，巨磁阻效應也在其他領域找到了套用，如數位相機、MP3播放器等設備的數據存儲和讀取。巨磁阻技術的發展不僅提高了數據存儲的密度和效率，也為自旋電子學等新興領域的研究奠定了基礎。
總結來說，巨磁阻是一種重要的物理現象，它不僅在基礎科學研究中有著深遠的影響，也在實際套用中展現了巨大的商業價值和技術優勢。