直拉法，也稱為Czochralski法（CZ法），是一種用於生長晶體材料的技術。直拉法的主要優點包括能夠生產出高質量、大尺寸的單晶材料，且生長速度快，適用於多種材料，如矽、鍺、砷化鎵等半導體材料，以及一些金屬和鹽。直拉法的過程是將原料加熱至熔點以上，然後將一個細小的單晶（稱為籽晶）浸入熔體中，並控制溫度使熔體在籽晶上結晶，從而生長出單晶。直拉法的變種包括多次直拉法（RCZ）、連續直拉法（CCZ）和磁場直拉法（MCZ），這些變種針對不同的套用和材料特性進行了最佳化。
直拉法的套用非常廣泛，例如在半導體工業中用於生產矽單晶，這些矽單晶用於製造太陽能電池、積體電路等。儘管直拉法有許多優點，但也存在一些挑戰，如熔體中的氣泡和缺陷可能影響晶體質量，以及生產設備的投入較高。
總的來說，直拉法是一種關鍵技術，用於生長具有重要套用價值的單晶材料。隨著技術的發展，直拉法及其變種將繼續在晶體生長領域發揮重要作用。