空乏區

空乏區（depletion region）是在半導體器件中的一個特定區域，其形成條件是當施加在半導體上的電壓（VG）大於平帶電壓（VFB），但不超過太多時。在這個區域內，由於能帶彎曲產生的電場，接近氧化層/半導體界面的半導體中的電洞會被掃離至電中性區（無電場區域）。同時，電子會在氧化層/半導體界面處累積，儘管此時電洞的濃度仍然大於電子的濃度。空乏區的形成是半導體器件中電荷分布的一個重要特徵，它影響著器件的電學性能。