第三代半導體是甚麼

寬禁帶半導體

第三代半導體，也稱爲寬禁帶半導體，主要以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）爲代表，同時還包括氧化鋅（ZnO）和金剛石等材料。

第三代半導體因其獨特的特性，如更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力以及更大的電子飽和漂移速率等，使其非常適合於高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件的製作。這些材料在光電子和微電子領域具有重要的應用價值，是5G基站、新能源汽車和快充等技術領域的關鍵材料。