米勒平台原理是在電子學中，特別是在功率半導體器件如MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應電晶體）和IGBT（絕緣柵雙極電晶體）的開關過程中觀察到的一種現象。米勒平台形成的基本原理與MOSFET的柵極驅動過程有關，這個過程中，驅動源對MOSFET的輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）進行充放電。當Cgs達到門檻電壓之後，MOSFET就會進入開通狀態，此時，Vds（漏源電壓）開始下降，Id（漏極電流）開始上升，MOSFET進入飽和區。
由於米勒效應，Vgs（柵源電壓）會持續一段時間不再上升，此時Id已經達到最大，而Vds還在繼續下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅動電壓的值，此時MOSFET進入電阻區，Vds徹底降下來，開通結束。米勒效應在MOS驅動中臭名昭著，它是由MOS管的米勒電容引發的，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值後GS電壓有一段穩定值，過後GS電壓又開始上升直至完全導通。
米勒平台的產生原因是在MOSFET開通過程中，當DS之間電壓從高到低跳變時，門極電流給柵-漏之間的寄生電容Cgd充電，而不給柵-源電容Cgc充電，從而Vgs不再上升，從而形成米勒平台。此外，米勒平台的形成也與彌勒電容有關，在開通某段時間內，漏源電壓Vds不斷下降，形成電壓變化率「dv/dt」，由於隨著時間的變化電壓在下降，所以dv/dt<0，弥勒电容给门极放电，此时门极驱动的能量被弥勒电容吸收。