耗散功率

耗散功率是指在一個電子元件或系統中，由於電能轉換為熱能而損失的功率。在電晶體中，耗散功率也稱為集電極最大允許耗散功率（PCM），是指電晶體參數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散功率。耗散功率與電晶體的最高允許結溫和集電極最大電流有密切關係。例如，矽管的結溫允許值大約為150°C，鍺管的結溫允許值為85°C左右。為了保證電晶體的結溫不超過允許值，就必須將產生的熱散發出去。電晶體在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成電晶體因過載而損壞。

耗散功率與電晶體的熱阻有很大的關係。熱阻是表徵電晶體散熱能力的一個基本參量，對於大功率電晶體的設計、製造和使用尤為重要。所謂熱阻就是單位耗散功率引起結溫升高的度數，其單位為℃/W。

對於二極體，耗散功率也與允許的節溫有關。矽二極體允許的最大節溫是150℃，而鍺允許最大節溫85℃。半導體工作溫度是有限的，當實際的功率增大時，其節溫也將變大。當節溫達到150℃時，此時的功率就是最大的耗散功率。耗散功率與大小也有一定的關係，通常封裝大點的器件，其最大耗散功率也相對大點。

耗散功率還與電晶體的散熱條件和工作環境溫度有關。增加散熱片或增加風冷卻，可提高PCM。所以在使用中應特別注意值IC不能過大，散熱條件要好。