高斯定律公式可以表述為：
高斯定理數學公式：
[ \oint_{\partial \Omega} \mathbf{F} \cdot d\mathbf{S} = \int_{\Omega} (
abla \cdot \mathbf{F}) dV ]
其中，(\mathbf{F}) 是一個矢量場，(d\mathbf{S}) 表示面積微元，(
abla \cdot \mathbf{F}) 表示矢量場 (\mathbf{F}) 的散度，(dV) 表示體積微元。該公式描述了在閉合曲面 (\partial \Omega) 上矢量場 (\mathbf{F}) 的通量積分等於該矢量場散度在閉合曲面所圍成體積 (V) 上的積分。
高斯定律在電場中的套用：
在電場的套用中，高斯定律可以表述為：
[ \oint_{\partial \Omega} \mathbf{E} \cdot d\mathbf{S} = \frac{1}{\epsilon_0} \int_{\Omega} \rho dV ]
其中，(\mathbf{E}) 是電場強度，(\rho) 是電荷體密度，(\epsilon_0) 是真空中的介電常數。這個公式表明，通過任意閉合曲面的電通量等於該閉合曲面所包圍的電荷量除以真空中的介電常數。