氮化鋁(AlN)是一種重要的陶瓷材料，以其高導熱性和卓越的電絕緣性能而聞名。氮化鋁由鋁(Al)和氮(N)組成，化學式為AlN，是一種非氧化物陶瓷材料，具有高達321W/mK的高導熱性。氮化鋁的晶體結構為六方纖鋅礦，具有理論密度為3.26g/cm³，莫氏硬度為7~8，室溫下的強度高，且強度會隨著溫度的升高下降較慢。
氮化鋁陶瓷因其多方面優異的性能，目前已經在多個民用和軍用領域得到了廣泛的套用。例如，氮化鋁陶瓷基板在半導體器件中的套用，氮化鋁蝕刻禁止，用於OLED的氮化鋁蒸發舟，以及塑膠和樹脂的製造等。氮化鋁粉體製備技術可以分為直接氮化法、碳熱還原法、自蔓延法、電漿法、化學氣相法、溶液法和高能球磨法等。
氮化鋁屬於典型的第三代半導體材料，具有特寬禁帶和非常大的激子束縛能，其中禁頻寬度為6.2eV，屬於直接帶隙半導體。氮化鋁具有多種突出的優異物理性能，如高的擊穿場強、熱導率、電阻率等，在半導體領域中一直備受關注。
總的來說，氮化鋁是一種具有廣泛套用和高性能的陶瓷材料，在電子工業、半導體、散熱基板、電子器件封裝等多個領域有著重要的套用。