CVD（化學氣相沉積）成膜原理涉及將兩種或兩種以上的氣態原材料引入反應室，這些原材料之間發生化學反應，生成一種新的材料並沉積到基體（如晶片）表面上。這一過程可以在不同的條件下進行，包括熱CVD、電漿增強CVD（PECVD）和雷射CVD等。
熱CVD通過加熱分解原料氣體，使其在基體表面形成薄膜。PECVD則利用微波或射頻使氣體電離，形成電漿，從而促進化學反應和薄膜沉積。這些技術可以套用於製備從零維到三維的陶瓷材料、絕緣薄膜、硬掩模層以及金屬膜層等。
CVD成膜過程的關鍵組成部分包括先驅體、反應室、氣體處理裝置和抽真空裝置。CVD技術的不同變種（如HCVD、PACVD和LCVD）提供了靈活性和多樣性，適用於各種材料和套用的沉積需求。