DRAM（動態隨機訪問記憶體）的工作原理主要基於電容器的電荷存儲。在DRAM晶片中，每個存儲單元都由一個電晶體和一個電容器組成。電容器存儲的電荷量決定了存儲單元的邏輯狀態，即電荷代表二進制「1」，無電荷代表二進制「0」。然而，由於電容器會逐漸洩漏電荷，DRAM需要定期進行刷新（refresh）以保持數據。
存儲單元結構：
電晶體：作為開關，控制電容器與數據傳輸路徑的連線。
電容器：存儲電荷，代表邏輯狀態「1」或「0」。
數據寫入：
通過在字線（WordLine）上施加電壓，使電晶體導通，將數據（電荷或無電荷）寫入電容器。
數據讀取：
字線激活，電晶體導通，電容器通過位線（BitLine）向外部電路傳輸電荷。
通過檢測位線的電壓變化，判斷存儲單元的邏輯狀態。
刷新機制：
由於電容器會逐漸洩漏電荷，DRAM需要周期性地刷新存儲單元，以確保數據的準確性。
刷新可以通過自動刷新（定期自動進行）或非自動刷新（在數據被訪問後進行）實現。
性能影響：
定期刷新增加了DRAM的存取時間，因為每次刷新都會中斷數據傳輸。
刷新頻率越高，對性能的影響越大。
總結來說，DRAM的工作原理依賴於電容器存儲電荷的能力，但這種存儲方式不穩定，需要定期刷新以保持數據的準確性。這種設計使得DRAM在速度和功耗方面具有優勢，但也帶來了需要定期刷新的挑戰。