EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一種可以通過電子方式擦除和編程的存儲器。它的工作原理基於浮柵技術，這種技術使用電晶體的浮動柵極來存儲電荷，從而改變電晶體的導電性質。每個EEPROM單元通常由一個具有浮動柵極和控制柵極的電晶體組成。浮動柵極上的電荷數量決定了電晶體的狀態，這些電荷可以通過在控制柵極上施加電壓來修改。
EEPROM的寫入過程利用了隧道效應，即電子能夠通過量子力學隧道穿過勢壘。在寫入時，電子從源極流向漏極，並在控制柵極上施加高於閾值電壓的高壓，以吸引電子穿越勢壘並注入到浮動柵極中。擦除過程同樣利用隧道效應，通過在漏極加高壓和控制柵極為0V，將電子從浮動柵極中拉出。
EEPROM是一種非易失性存儲器，這意味著即使在斷電後，存儲在EEPROM中的數據也不會丟失。它通常用於需要頻繁更新數據的場合，如即插即用設備或防止軟體非法拷貝的硬體鎖。在微機發展的初期，BIOS（Basic Input/Output System）通常存儲在EEPROM中，以便可以方便地更新固件。