FinFET（Finfield-effect transistor，鰭式場效應電晶體）的原理在於其獨特的三維電晶體結構，這種結構顯著地提高了電晶體的性能。FinFET的關鍵特性包括：
通道結構。FinFET的通道是由一個薄而高的鰭狀結構組成，這個鰭狀結構位於絕緣襯底上，源漏兩極分別位於鰭的兩端，而柵極則緊密地包裹著鰭的側面和頂部。
電流控制。與傳統平面MOSFET相比，FinFET通過增加柵極對通道的控制面積，提高了電流控制的效率。
性能提升。這種結構不僅增強了柵極對溝道的控制能力，還允許使用更短的溝道長度，從而提高了電晶體的開關速度和性能。
降低短溝道效應和漏電流。由於柵極完全包裹通道，FinFET能有效減少短溝道效應和漏電流的問題。
提高載流子遷移率。FinFET結構無需高度摻雜的溝道，這有助於減少雜質離子散射效應，從而提高載流子的遷移率。
FinFET的這些特點使得它在高性能和低功耗的積體電路設計中非常受歡迎，尤其是在行動裝置和物聯網等領域。