Flash ROM（Flash唯讀存儲器）的原理基於非揮發性存儲技術，它被設計用於存儲程式代碼和數據，並且能夠在斷電後保持數據的可靠性。Flash ROM 包含多個扇區，每個扇區都可以獨立進行擦除和編程操作。以下是 Flash ROM 的工作原理的詳細解釋：
存儲原理：Flash ROM 利用電子漂移現象來存儲數據。在電晶體中儲存電荷來表示數據的位狀態。擦除操作會將整個扇區的位狀態清零，而編程操作則會將位狀態設定為1。
擦除操作：在寫入新數據之前，需要先對要寫入的塊進行擦除操作。擦除操作會將整個塊中的數據全部清除，並準備好接受新的數據。
編程操作：編程操作涉及給浮動柵施加適當的電壓，使得電子在柵氧化物中隧穿並存儲在浮動柵中。這樣，就可以改變浮動柵中的電荷量，從而表示不同的數據狀態。
讀取操作：讀取操作時，Flash ROM 會將浮動柵中的電荷量轉換為電流信號。通過檢測這些電流信號的大小，可以確定存儲在存儲器中的數據狀態。
Flash ROM 與 EEPROM（電可擦可程式唯讀存儲器）相比，具有更高的數據密度和更小的體積，但其寫入速度更快，且擦寫壽命更長。Flash ROM 適用於需要較大存儲容量和較高速度的套用，而 EEPROM 適用於需要較小存儲容量、頻繁擦寫和編程的套用。