II-VI族化合物半導體是由第II副族元素（如Zn, Cd等）和第VI主族元素（如O, S, Se, Te等）組成的半導體材料。這些化合物半導體的晶體結構主要為閃鋅礦或纖鋅礦結構，且晶體中離子鍵的成分含量較高。晶體結構、原子含量占比、缺陷種類及含量等都會影響此類半導體材料的極性。
II-VI族化合物半導體的性質受其組成元素的原子序數的影響，禁頻寬度隨原子序數的增加而減小，熔點也具有類似的規律。禁頻寬度還受溫度的影響，其隨溫度的變化行為可通過特定公式描述。II-VI族化合物半導體的熔點都相對較高，其組成元素的蒸氣壓也很高。
II-VI族化合物半導體的體單晶製備方法主要包括垂直布里奇曼法、升華法以及移動加熱法等。薄膜單晶製備方法主要包括金屬有機物氣相外延法、分子束外延法、液相外延法以及熱壁外延法等。在製備過程中可能會在晶體中引入一些點缺陷，如空位、間隙原子、反結構缺陷以及外來雜質等。