Junction leakage，也稱為結漏洩漏電流，是指當電晶體關斷時，通過反偏二極體從源極或漏極到襯底或者阱到襯底產生的電流。這種反偏結洩露電流主要由兩部分組成：
由耗盡區邊緣的擴散和漂移電流產生；
由耗盡區中的產生的電子-空穴對形成。
對於重摻雜的PN區，還會有帶間隧穿（BTBT）現象貢獻的洩漏電流。源漏二極體和阱二極體的結反向偏置洩漏電流分量相對於其他三個洩漏分量通常可以忽略不計。
Leakage測試的意義在於在Open-Short測試之後，對晶片的輸入IO進行漏電流測試，可以儘早發現IO結構問題，為接下來的功能測試做準備。Leakage主要測試數字輸入IO的漏電流測量IIH/IIL，PULL HIGH/PULL LOW。IIL測試是對IO進行驅動低電平(L)時測試輸入IO(I)中的電流(I)，IIL測試測量從輸入引腳到VDD的電阻。IIH測試是對IO進行驅動高電平電平(H)時測試輸入IO(I)中的電流(I)，IIH測試測量從輸入引腳到GND的電阻。