場效應效應
MOS（金屬-氧化物-半導體場效應電晶體，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）管是一種重要的半導體器件，其工作原理基於場效應效應。MOS管作為開關、放大器、穩壓器等電路中的關鍵元件，通過控制柵極電場強度來改變半導體中載流子的濃度，從而調節電路的電流。
MOS管的結構主要包括金屬柵極、氧化物絕緣層和半導體基底。當柵極施加電壓時，會在氧化物層和半導體基底之間形成一個電場，這個電場會影響半導體中的載流子濃度，從而控制電路的電流。MOS管的工作原理可以分為三個階段：截止區、線性區和飽和區。在截止區，柵極電壓較低，無法形成足夠的電場，半導體中的載流子濃度很低，電路中的電流非常小。線上性區，柵極電壓逐漸增加，電場強度也隨之增加，半導體中的載流子濃度開始增加，電路中的電流也隨之增加。在飽和區，柵極電壓達到一定值，電場強度已經飽和，半導體中的載流子濃度不會再增加，電路中的電流也不會再增加。
MOS管利用絕緣柵極下的P型區與源漏之間的擴散電流和電場在垂直方向上的不同導電特性來工作。當柵極電壓達到開啟電壓VT時，該區域聚集的自由電子濃度足夠大，形成一個新的N型區域，即N型導電溝道。MOS管的漏極電流Id主要受電壓VGS和VDS的影響。VGS通過控制導電溝道來影響Id，而VDS直接作為驅動來影響Id。
MOS管分為增強型和耗盡型，以及N溝道和P溝道兩種類型。增強型MOS管在UGS=0時，源、漏之間不存在導電溝道，而耗盡型MOS管在UGS=0時，漏、源之間已存在導電溝道。這些不同類型的MOS管適用於不同的電路和套用需求。