n阱的作用

製造PMOS

N阱的主要作用包括製造PMOS（金屬-氧化物半導體場效應電晶體）。

N阱是PMOS電晶體中的一部分，用於降低PMOS的摻雜濃度並提高其電阻率。這種高電阻率的N阱區域可以用作電阻，即阱電阻。此外，N阱還可以與PMOS的襯底結合，構成一種二極體，甚至可以用來製造寄生PNP管（縱向PNP）。

N阱的製作過程涉及在矽片上形成一層N型摻雜區域，這個過程可以通過光刻膠和顯影技術來實現。通過控制光刻膠的開孔和曝光區域，可以在矽片上精確地製造出所需的N阱結構。