NMOS（N型金屬-氧化物-半導體）電晶體是一種常用的半導體器件，其工作原理基於半導體物理和電晶體結構。NMOS電晶體的主要組成部分包括：
源極（Source）和漏極（Drain）。這兩個區域位於P型矽襯底上，通過高摻雜濃度的N+區域提供，用於電流的輸入和輸出。
柵極（Gate）。它是一個鋁電極，位於半導體表面上的二氧化矽（SiO2）絕緣層上。柵極通過電壓控制溝道的形成，進而控制源極和漏極之間的電流。
襯底（Bulk）。它不僅用作源極和漏極的支撐結構，還參與PN結的形成。
NMOS電晶體的工作原理可以概括為：
增強型MOS管。當柵源電壓（VGS）大於一定閾值電壓時，會在源極和漏極之間形成導電溝道，允許電流流動。如果VGS降至0或以下，導電溝道消失，電流流動停止。
耗盡型MOS管。與增強型不同，耗盡型MOS管在VGS=0時已經有一個初始溝道存在，因此即使沒有施加VGS，也有電流可以流動。通過增加VGS的絕對值，可以控制溝道的寬度和電流的大小。
NMOS電晶體的套用包括高性能數字電路、開關電路等。它們在CMOS（互補MOS）積體電路中與PMOS電晶體一起使用，構成互補邏輯電路。NMOS電晶體的優點包括較低的導通電阻和較高的開關速度，適合於高速邏輯和功率開關電路。