PVD（物理氣相沉積）技術中，真空度的要求非常高，通常需要達到低真空狀態，即10E-2Pa（10^-2帕斯卡）或更低。在這樣的真空度下，可以通過引弧電極和陰極靶表面的接觸與離開瞬間引燃電弧，維持電弧放電。電弧電流一般為幾安到幾百安，電壓為10V到25V。在這種狀態下，陰極表面上的電流會集中在一個或多個很小的部位，形成弧光斑點，即微點蒸發源，使靶材蒸發形成高能原子或離子束流。
PVD工藝中，真空系統包括羅茨泵、機械泵和分子泵。分子泵在抽高真空（5Pa以下）時可以開啟，但如果壓力大於50Pa，則可能會損壞。在濺射室中，通過調整Ar氣、氧氣等正常工藝所需氣體的流量，可以改變真空度的大小。靶材冷卻系統與總冷卻水管獨立，靶材冷卻時需要較低的溫度。