SOI（Silicon-On-Insulator）技術原理
SOI，全稱為Silicon-On-Insulator，即絕緣襯底上的矽，是一種先進的半導體技術，其核心原理是在頂層矽與背襯底之間引入一層埋氧化層。這一層氧化層有效地將矽電晶體隔離，減少了電晶體之間的寄生電容，從而提高了積體電路的性能。
基本結構：SOI技術的基本結構由三層組成，包括頂部的矽器件層、中間的絕緣層（如SiO2），以及下方的矽襯底。這種結構使得電晶體之間的電容減小，提高了晶片的集成度和性能。
優勢：
減少寄生電容：通過在矽電晶體之間加入絕緣體物質，SOI技術能夠顯著減少電晶體之間的寄生電容，提高電路的速度和能效。
提高集成密度：由於減少了電晶體之間的電容，SOI技術可以在同一晶圓上集成更多的電晶體，從而提高集成密度。
適用於低壓低功耗電路：SOI材料的特性使其特別適用於低壓低功耗電路，有助於降低晶片的能耗。
套用：SOI技術已被廣泛套用於高性能微處理器、圖形處理器以及其他需要高集成度和低功耗的電子產品中。
製造方法：SOI晶圓的製造方法主要包括離子布植（如SIMOX技術）、晶圓接合（如BESOI和Smart-Cut技術）等。這些技術通過在矽晶圓上形成一層氧化層，然後在其上製作電晶體，實現了SOI結構的製造。