絕緣襯底上的矽
SOI材料全稱為Silicon-On-Insulator，即絕緣襯底上的矽。
SOI材料是一種三層結構，它在頂層矽和背襯底之間引入了一層埋氧化層，這一層絕緣體將有源矽層與襯底的矽層分開。這種結構與傳統的矽製程不同，後者直接在矽襯底上形成晶片，沒有使用絕緣體層，SOI材料可以實現積體電路中器件和襯底的介質隔離，徹底消除體矽CMOS電路中的寄生閂鎖效應，並具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應小等優勢，特別適合於低壓低功耗電路。此外，SOI材料在抗輻照器件、高溫感測器以及微機電系統（MEMS）等領域也有廣泛的套用前景。
從廣義上來說，SOI材料還包括SOS wafer（藍寶石上矽）等類型。狹義上講，SOI wafer包括BESOI、SIMOX、UNIBOND、SimBond等技術。