晶圓（wafer）的厚度隨著其直徑的增加而增加，以下是不同直徑晶圓的典型厚度：
4英寸晶圓：約520微米（um）
6英寸晶圓：約670微米
8英寸晶圓：約725微米
12英寸晶圓：約775微米
18英寸晶圓：預計約925微米
在晶圓加工完成後，根據封裝需求或客戶要求，其厚度可能會進一步減少。例如，用於小尺寸封裝的晶圓可能會被研磨至約130微米，而對於功率器件，為了有利於散熱，其厚度可能會被進一步減薄。
封裝過程中，對於晶圓的最小厚度有嚴格要求，通常不會低於100微米，而封裝需求一般要求晶圓厚度在200微米左右。這種厚度的調整是為了滿足不同的技術要求和實際套用需求。